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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SOP, SOP8,.25 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 数据保留时间-最小值： | 100 |
| 耐久性： | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 内存密度： | 8192 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 电源： | 3/5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 串行总线类型： | SPI |
| 最大待机电流： | 0.000002 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.005 mA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BR2508A1 | YANGJIE |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 800V V(RRM), Silicon, |
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| BR2508G | HY |
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Rectifier Diode, |
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| BR2508-G | COMCHIP |
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Silicon Bridge Rectifiers |
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| BR2508GW | EIC |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 25A, 800V V(RRM), |
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| BR2508L | YANGJIE |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 25A, 800V V(RRM), |
|
| BR2508M | EIC |
获取价格 |
SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
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| BR2508W | BL Galaxy Electrical |
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SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
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| BR2508W | EIC |
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SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
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| BR2508W | LGE |
获取价格 |
Silicon Bridge Rectifiers |
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| BR2508WA1 | YANGJIE |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 800V V(RRM), Silicon, |
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