BR2501M

更新时间： 2024-11-25 04:09:27

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SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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BR2501M 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	S-MUFM-D4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.78	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：	100 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	S-MUFM-D4	最大非重复峰值正向电流：	300 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	25 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
参考标准：	TS 16949	最大重复峰值反向电压：	100 V
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BR2501M 数据手册

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

BR2500M - BR2510M

BR50

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 25 Amperes

0.728(18.50)

0.688(17.40)

FEATURES :

1.130(28.70)

1.120(28.40)

0.570(14.50)

0.530(13.40)

0.685(16.70)

0.618(15.70)

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Pb / RoHS Free

0.210(5.30)

0.200(5.10)

0.658(16.70)

0.618(15.70)

0.032(0.81)

0.028(0.71)

0.252(6.40)

0.248(6.30)

MECHANICAL DATA :

f 0.100(2.50)

0.090(2.30)

* Case : Metal Case

0.905(23.0)

0.826(21.0)

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Terminals : plated .25" (6.35 mm). Faston

* Polarity : Polarity symbols marked on case

* Mounting position : Bolt down on heat-sink with

silicone thermal compound between bridge

and mounting surface for maximum heat

transfer efficiency.

0.310(7.87)

0.280(7.11)

Metal Heatsink

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Weight : 17.1 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

BR2500 BR2501 BR2502 BR2504 BR2506 BR2508 BR2510

SYMBOL

RATING

UNIT

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

VRRM

VRMS

VDC

Maximum DC Blocking Voltage

100

1000

IF(AV)

Maximum Average Forward Current Tc = 55°C

Peak Forward Surge Current Single half sine wave

Superimposed on rated load (JEDEC Method)

Current Squared Time at t < 8.3 ms.

IFSM

300

I²t

A²S

375

1.1

Maximum Forward Voltage per Diode at IF = 12.5 A

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

Typical Thermal Resistance (Note 1)

Ta = 25 °C

°C/W

°C

200

IR(H)

Ta = 100 °C

1.45

RqJC

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 40 to + 150

TSTG

°C

Notes :

1. Thermal Resistance from junction to case with units mounted on a 5" x 6" x 4.9" (12.8cm.x 15.2cm.x 12.4cm.) Al.-Finned Plate

Page 1 of 2 Rev. 02 : March 24, 2005

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BR2501WA1	YANGJIE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 100V V(RRM), Silicon,
BR2502	SYNSEMI	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR2502	GOOD-ARK	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR2502	SECOS	获取价格	AMP Silicon Bridge Rectifiers
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