BR2500W

更新时间： 2024-11-24 22:39:39

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SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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BR2500W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	S-PUFM-W4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.78
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最小击穿电压：	50 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	S-PUFM-W4
最大非重复峰值正向电流：	300 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	25 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	参考标准：	TS 16949
最大重复峰值反向电压：	50 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BR2500W 数据手册

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

BR50W

BR2500W - BR2510W

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 25 Amperes

0.732 (18.6)

0.692 (17.5)

FEATURES :

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

1.130 (28.7)

0.470 (11.9)

1.120 (28.4)

0.430 (10.9)

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* High case dielectric strength

0.21 (5.3)

0.20 (5.1)

MECHANICAL DATA :

* Case : Molded plastic with heatsink integrally

mounted in the bridge encapsulation

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Terminals : Plated lead solderable per

MIL-STD-202, Method 208 guaranteed

* Polarity : Polarity symbols marked on case

* Mounting position : Bolt down on heat-sink

with silicone thermal compound between

bridge and mounting surface for maximum

heat transfer efficiency

0.042 (1.06)

0.038 (0.96)

1.2 (30.5)

MIN.

0.310 (7.87)

0.280(7.11)

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Weight : 15.95 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

SYMBOL

UNIT

RATING

2500W 2501W 2502W 2504W 2506W 2508W 2510W

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

VRMS

VDC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Volts

Amp.

Maximum DC Blocking Voltage

100

1000

IF(AV)

Maximum Average Forward Current Tc = 55°C

Peak Forward Surge Current Single half sine wave

Superimposed on rated load (JEDEC Method)

Current Squared Time at t < 8.3 ms.

IFSM

I²t

300

375

1.1

Amp.

A²S

Volts

Maximum Forward Voltage per Diode at 12.5 Amp.

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

Ta = 25 °C

IR(H)

1.0

Ta = 100 °C

Typical Thermal Resistance at Junction to Case ( Note 1 )

Typical Thermal Resistance at Junction to Ambient

Operating Junction Temperature Range

RqJC

RqJA

°C/W

°C

- 40 to + 150

Storage Temperature Range

TSTG

°C

Notes : 1 ) Thermal resistance from Junction to Case with units mounted on a 5" x 4" x 3" ( 12.7 x 10.2 x 7.3 cm ) Al.-wing plate.

UPDATE : APRIL 21, 1998

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR2500W_05	EIC	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR2501	SECOS	获取价格	AMP Silicon Bridge Rectifiers
BR2501	GOOD-ARK	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR2501	LGE	获取价格	Silicon Bridge Rectifiers
BR2501	EIC	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR2501	BL Galaxy Electrical	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR2501	SYNSEMI	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR2501	YANGJIE	获取价格	BR
BR250-1000A2-48V	MICROSEMI	获取价格	Power/Signal Relay, 1 Form C, SPDT, Momentary, 0.048A (Coil), 48VDC (Coil), 2304mW (Coil),
BR250-1000A3-48V	MICROSEMI	获取价格	Power/Signal Relay, 1 Form C, SPDT, Momentary, 0.048A (Coil), 48VDC (Coil), 2304mW (Coil),

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