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BR24T04FVT-WE2

更新时间： 2024-11-08 21:04:19

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罗姆 - ROHM		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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36页	1478K
描述
EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8,

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BR24T04FVT-WE2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	TSSOP-8
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	10 weeks
风险等级：	1.63	最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz
数据保留时间-最小值：	40	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：	1010DDMR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	4.4 mm
内存密度：	4096 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	512 words	字数代码：	512
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512X8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	1.8/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
串行总线类型：	I2C	最大待机电流：	0.000002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.6 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	写保护：	HARDWARE
Base Number Matches：	1

BR24T04FVT-WE2 数据手册

Datasheet

Serial EEPROM Series Standard EEPROM

I²C BUS EEPROM (2-Wire)

BR24T04-W

General Description

BR24T04-W is a serial EEPROM of I²C BUS Interface Method

Features

Packages W(Typ) x D(Typ) x H(Max)

 Completely conforming to the world standard I²C

BUS.

All controls available by 2 ports of serial clock

(SCL) and serial data (SDA)

 Other devices than EEPROM can be connected to

the same port, saving microcontroller port

 1.6V to 5.5V Single Power Source Action most

suitable for battery use

DIP-T8

9.30mm x 6.50mm x 7.10mm

TSSOP-B8

3.00mm x 6.40mm x 1.20mm

 1.6V to 5.5V wide limit of action voltage, possible

FAST MODE 400kHz action

 Page Write Mode useful for initial value write at

factory shipment

 Self-timed Programming Cycle

 Low Current Consumption

SOP8

TSSOP-B8J

3.00mm x 4.90mm x 1.10mm

5.00mm x 6.20mm x 1.71mm

 Prevention of Write Mistake



Write (Write Protect) Function added

Prevention of Write Mistake at Low Voltage

 More than 1 million write cycles

 More than 40 years data retention

 Noise filter built In SCL / SDA terminal

 Initial delivery state FFh

SOP- J8

4.90mm x 6.00mm x 1.65mm

MSOP8

2.90mm x 4.00mm x 0.90mm

SSOP-B8

3.00mm x 6.40mm x 1.35mm

VSON008X2030

2.00mm x 3.00mm x 0.60mm

Figure 1.

BR24T04-W

Power Source

Capacity Bit Format

Type

Package

DIP-T8

Voltage

BR24T04-W

BR24T04F-W

BR24T04FJ-W

BR24T04FV-W

BR24T04FVT-W

BR24T04FVJ-W

BR24T04FVM-W

BR24T04NUX-W

SOP8

SOP-J8

SSOP-B8

TSSOP-B8

TSSOP-B8J

MSOP8

4Kbit

512×8

1.6V to 5.5V

VSON008X2030

○Product structure：Silicon monolithic integrated circuit ○This product has no designed protection against radioactive rays

www.rohm.com

TSZ02201-0R2R0G100080-1-2

12.Dec.2014 Rev.004

1/33

TSZ22111･14･001

12 3 4 5 6 7...36

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