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BR211SM-180

更新时间: 2024-01-19 16:19:47
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恩智浦 - NXP 二极管击穿二极管
页数 文件大小 规格书
6页 34K
描述
Breakover diodes

BR211SM-180 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最大转折电压:202 V
JESD-609代码:e0最大通态电压:2.5 V
最高工作温度:70 °C子类别:Silicon Surge Protectors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型:SILICON SURGE PROTECTOR

BR211SM-180 数据手册

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Philips Semiconductors  
Preliminary specification  
Breakover diodes  
BR211SM series  
Cj / pF  
100  
Zth / (K/W)  
1000  
100  
10  
BR211-140  
typ  
BR211-280  
10  
t
p
P
1
D
t
0.1  
1
0.1s  
tp / s  
10s  
1000s  
10us  
1ms  
1000  
1
10  
100  
VD / V  
Fig.9. Typical junction capacitance as a function of  
off-state voltage, f = 1 MHz; Tj = 25˚C.  
Fig.10. Transient thermal impedance. Zth j-a = f(tp).  
August 1996  
4
Rev 1.100  

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