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BR211SM-180

更新时间： 2024-01-28 17:04:57

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恩智浦 - NXP		二极管击穿二极管
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6页	34K
描述
Breakover diodes

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BR211SM-180 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最大转折电压：	202 V
JESD-609代码：	e0	最大通态电压：	2.5 V
最高工作温度：	70 °C	子类别：	Silicon Surge Protectors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR

BR211SM-180 数据手册

Philips Semiconductors

Preliminary specification

Breakover diodes

BR211SM series

BR211

ITSM / A

ID / uA

100

ITSM2

time

max

0.1

-20

Tj / C

100

-40

100

1000

10000

Number of impulses

Fig.3. Maximum permissible non-repetitive on-state

current based on sinusoidal currents; f = 50 Hz;

device triggered at the start of each pulse; T_j= 70˚C

prior to surge.

Fig.6. Maximum off-state current as a function of

temperature.

V(BR)(Tj)

V(BR)(25 C)

IS / A

1.06

1.04

1.02

1.00

0.98

0.96

0.94

0.92

0.90

max

typ

0.1

0.01

min

0.001

100

150

-50

-20

100

-40

Tj / C

Fig.4. Normalised avalanche breakdown voltage V_(BR)

and V_(BO)as a function of temperature.

Fig.7. Switching current as a function of junction

temperature.

IT / A

IH / A

Tj = 25 C

Tj = 150 C

min

max

typ

0.1

0.01

0.001

100

150

-50

VT / V

Tj / C

Fig.5. On-state current as a function of on-state

voltage; t_p= 200 µs to avoid excessive dissipation.

Fig.8. Minimum holding current as a function of

temperature.

August 1996

Rev 1.100

1 234 5 6

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