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BR108

更新时间： 2024-02-06 11:49:03
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2页 583K
描述
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER

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BR108 技术参数

生命周期：Active包装说明：S-PUFM-W4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.69其他特性：UL LISTED
最小击穿电压：800 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：S-PUFM-W4最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：800 V
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：UPPERBase Number Matches：1

BR108 数据手册

 浏览型号BR108的Datasheet PDF文件第2页 
BR1005  
THRU  
DC COMPONENTS CO., LTD.  
RECTIFIER SPECIALISTS  
R
BR1010  
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE - 50 to 1000 Volts  
CURRENT - 10 Amperes  
FEATURES  
* Surge overload rating: 200 Amperes peak  
* Low forward voltage drop  
BR-8/10  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202, Method 208 guaranteed  
* Polarity: Symbols molded or marked on body  
* Mounting position: Any  
* Weight: 6.9 grams  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
SYMBOL  
BR1005 BR101  
BR102  
200  
BR104 BR106  
BR108 BR1010  
UNITS  
Volts  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
V
V
RRM  
RMS  
50  
35  
100  
70  
400  
280  
600  
420  
800  
1000  
700  
140  
Maximum RMS Voltage  
Volts  
Volts  
560  
800  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified Output Current at Tc = 50oC  
V
DC  
O
100  
50  
200  
400  
10  
600  
1000  
Amps  
Amps  
I
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
I
FSM  
200  
1.1  
superimposed on rated load (JEDEC Method)  
Maximum Forward Voltage Drop per element at 5.0A DC  
Maximum DC Reverse Current at Rated  
V
F
Volts  
@TA  
C
= 25oC  
10  
uAmps  
I
R
= 100oC  
500  
DC Blocking Voltage per element  
I2t Rating for Fusing (t<8.3ms)  
@T  
I2t  
166  
200  
21  
A2Sec  
pF  
0C/W  
Typical Junction Capacitance ( Note1)  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
CJ  
RθJ A  
T
J
-55 to + 125  
-55 to + 150  
0C  
0C  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
STG  
NOTES : 1.Measured at 1 MHZ and applied reverse voltage of 4.0 volts  
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.5 x 0.5" (13x13mm) copper pads.  
240  
EXIT  
BACK  
NEXT  
12

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