BR1008SG-G

更新时间： 2024-11-25 13:05:59

品牌	Logo	应用领域
上华 - COMCHIP		整流二极管桥式整流二极管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	84K
描述
BRIDGE RECTIFIER 10A 800V BR8 RO

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BR1008SG-G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-XUFM-W4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
其他特性：	UL RECOGNIZED	最小击穿电压：	800 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-W4
最大非重复峰值正向电流：	175 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BR1008SG-G 数据手册

Silicon Bridge Rectifiers

BR10005-G Thru. BR5010-G Series

Reverse Voltage: 50 to 1000V

Forward Current: 10/15/25/35/50A

RoHS Device

Features

METAL HEAT SINK

-Surge overload -240~500 Amperes peak.

0.442(11.23)

0.424(10.77)

-Low forward voltage drop.

0.925(23.50)

0.886(22.50)

-Electrically isolated base -2000 Volts.

-Materials used carries U/L recognition.

-Solderable 0.25" FAST ON terminals.

0.94

(2.40)

diam

0.035(0.90)

0.028(0.70)

0.254(6.45)

0.242(6.15)

1.133(28.80)

1.114(28.30)

Hole for

No.8 screw

193"(4.9)diam

0.673(17.10)

0.634(16.10)

Mechanical Data

-Polarit:As marked on Body

-Mounting position:Any

-Weight: 19.09grams

0.673(17.10)

0.634(16.10)

1.133(28.80)

1.114(28.30)

0.732(18.60)

0.693(17.60)

0.583(14.80)

0.543(13.80)

Dimensions in inches and (millimeter)

Maximum ratings and electrical characteristics

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

BR-G

10005

15005

25005

BR-G

1001

1501

2501

BR-G

1002

1502

2502

BR-G

1006

1506

2506

BR-G

1008

1508

2508

BR-G

1010

1510

2510

1004

1504

2504

Symbol

Parameter

Unit

35005

50005

3501

5001

3502

5002

3504

5004

3506

5006

3508

5008

3510

5010

Max. Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Bridge Input Voltage

RRM

100

200

140

400

280

600

420

800

560

1000

700

Symbol

BR10

BR15

BR25

BR35

BR50

Parameter

Unit

Maximum Average Forward

I(AV)

Rectified Output Current @Tc=55°C

Peak Forward Surage Current ,

8.3ms Single Half Sine-Wave

Super Imposed On Rated Load

Maximum Forward Voltage

Drop Per Element at

5.0/7.5/12.5/17.5/25.0A Peak

FSM

240

300

400

500

1.1

Maximum Reverse Current at rated

DC Blocking Voltage Per Element

μA

10.0

@ TJ=25°C

Operating Temperature Range

-55 to +150

°C

Storage Temperature Range

TSTG

Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.

QW-BBR78

REV: A

Page 1

Comchip Technology CO., LTD.

12 3

中文翻译

下载PDF

与BR1008SG-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR1008W	BL Galaxy Electrical	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR1008W	HY	获取价格	Silicon Bridge Rectifiers
BR100A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5
BR100C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-210AA
BR100E	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-210AC
BR100F	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-210AC
BR100LLD	NXP	获取价格	Silicon Bi-directional Trigger Device
BR100N03	FOSHAN	获取价格	TO-220
BR100N12	MOLEX	获取价格	D Microminiature Connector, 100 Contact(s), Male, Solder Terminal
BR100N12-26E1-M46	MOLEX	获取价格	D Type Connector, 100 Contact(s), Male, 0.05 inch Pitch, Solder Lug Terminal, #4-40, Recep

与BR1008SG-G相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

40
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

32
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

60
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

56

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BR1008SG-G

BR1008SG-G 技术参数

BR1008SG-G 数据手册

与BR1008SG-G相关器件

与BR1008SG-G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BR1008SG-G

BR1008SG-G 技术参数

BR1008SG-G 数据手册

与BR1008SG-G相关器件

与BR1008SG-G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？