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BQ4011Y-200

更新时间： 2022-04-23 23:00:11

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德州仪器 - TI		静态存储器
页数	文件大小	规格书
13页	755K
描述
32Kx8 Nonvolatile SRAM

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BQ4011Y-200 数据手册

bq4011/bq4011Y

AC Test Conditions

Parameter

Test Conditions

0V to 3.0V

Input pulse levels

Input rise and fall times

5 ns

Input and output timing reference levels

Output load (including scope and jig)

1.5 V (unless otherwise specified)

See Figures 1 and 2

Figure 1. Output Load A

Figure 2. Output Load B

Read Cycle (T = T

, V

≤ V

)

OPR CCmin

CCmax

-70/-70N

-100

-150/-150N

-200

Min. Max. Min. Max. Min. Max.

Min. Max.

Symbol

Parameter

Unit

Conditions

t_RC

Read cycle time

100

150

200

t_AA

Address access time

100

150

200

Output load A

t_ACE

Chip enable access time

Output enable to

output valid

t_OE

Output load A

Output load B

Output load A

Chip enable to output

in low Z

t_CLZ

t_OLZ

t_CHZ

t_OHZ

t_OH

Output enable to

output in low Z

Chip disable to output

in high Z

Output disable to

output in high Z

Output hold from

address change

Aug. 1993 C

1 2 345 6 7...13

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