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BQ4010Y-85

更新时间： 2022-04-23 23:00:11
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器
页数 文件大小 规格书
14页 758K
描述
8Kx8 Nonvolatile SRAM

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BQ4010Y-85 数据手册

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bq4010/bq4010Y  
1,2,3  
Write Cycle No. 1 (WE-Controlled)  
1,2,3,4,5  
Write Cycle No. 2 (CE-Controlled)  
Notes:  
1. CE or WE must be high during address transition.  
2. Because I/O may be active (OE low) during this period, data input signals of opposite polarity to the  
outputs must not be applied.  
3. If OE is high, the I/O pins remain in a state of high impedance.  
4. Either tWR1 or tWR2 must be met.  
5. Either tDH1 or tDH2 must be met.  
Sept. 1996 D  
6-7  
1...45678910...14

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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