BPD-HQB33

更新时间： 2024-11-05 22:25:35

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早安 - YSTONE		光电二极管光电二极管
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1页	446K
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SURFACE MOUNT PHOTO DIODES

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BPD-HQB33 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.6	最大暗电源：	10 nA
安装特点：	SURFACE MOUNT	最高工作温度：	80 °C
最低工作温度：	-25 °C	最长响应时间：	1e-8 s
最大反向电压：	30 V	半导体材料：	Silicon
子类别：	Photo Diodes	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

BPD-HQB33 数据手册

SURFACE MOUNT PHOTO DIODES

BPD-HQx33 Series

■ Absolute Maximum Ratings

(Ta=25℃)

UNIT

SPEC.

℃

-25～+80

-30～+85

Topr

Tstg

Open Circuit Short Circuit Reverse Dark Reverse Light Reverse Break

Rise/Fall

Time

Peak

Wave Length

Voltage

Current

Down Voltage

Viewing

Angle

2 θ 1/2

(deg)

T_R/T_F

V_R=10V

R_L=1K

(ns)

Part No.

I_D(R)

V_R=10V

I_L)

V_R=5.0V

V_BR

I_R=100uA

Voc

I_SC

p

(nm)

H=5.0mw/cm²H=5.0mw/cm²

H=0mw/cm²H=5.0mw/cm²H=0mw/cm²

Typ. (mV)

Typ. (uA)

Max. (nA)

Typ. (uA)

Min. (V)

BPD-HQA33

BPD-HQB33

450

2.0

6/6

940

140˚

550

7.0

5.0

10/10

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