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BLD6G21LS-50

更新时间： 2024-10-14 06:42:31

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	122K
描述
TD-SCDMA 2010 MHz to 2025 MHz fully integrated Doherty transistor

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BLD6G21LS-50 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	外壳连接：	SOURCE
配置：	COMPLEX	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (ID)：	10.2 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-CDFP-F4
元件数量：	2	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON

BLD6G21LS-50 数据手册

BLD6G21L-50; BLD6G21LS-50

TD-SCDMA 2010 MHz to 2025 MHz fully integrated Doherty

transistor

Rev. 01 — 28 October 2009

Objective data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

The BLD6G21L-50 and BLD6G21LS-50 incorporate a fully integrated Doherty solution

using NXP’s state of the art GEN6 LDMOS technology. This device is perfectly suited for

TD-SCDMA base station applications at frequencies from 2010 MHz to 2025 MHz. The

main and peak device, input splitter and output combiner are integrated in a single

package. This package consists of one gate and drain lead and two extra leads of which

one is used for biasing the peak ampliﬁer and the other is not connected. It only requires

the proper input/output match and bias setting as with a normal class-AB transistor.

Table 1.

Typical performance

RF performance at T_h= 25 °C.

Mode of operation

V_DSP_L(AV)

G_p

(dB) (%) (dBc)

13.5 42 −23

η_D

ACPR

P_L(3dB)

(W)

(MHz)

(V)

(W)

TD-SCDMA ^[1][2]

2010 to 2025

[1] Test signal: 6-carrier TD-SCDMA; PAR = 10.8 dB at 0.01 % probability on CCDF.

[2] I_Dq= 170 mA (main); V_GS(amp)peak= 0 V.

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features

I Typical TD-SCDMA performance at frequencies from 2010 MHz to 2025 MHz:

N Average output power = 8 W

N Power gain = 13.5 dB

N Efﬁciency = 42 %

I Fully optimized integrated Doherty concept:

N integrated asymmetrical power splitter at input

N integrated power combiner

N peak biasing down to 0 V

N low junction temperature

N high efﬁciency

I Integrated ESD protection

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLD6G21LS-50,112	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B
BLD6G22L(S)-50	NXP	获取价格	RF Manual 16th edition
BLD6G22L-50	NXP	获取价格	W-CDMA 2110 MHz to 2170 MHz fully integrated Doherty transistor
BLD6G22L-50,112	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A
BLD6G22LS-50	NXP	获取价格	W-CDMA 2110 MHz to 2170 MHz fully integrated Doherty transistor
BLD6G22LS-50,112	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130B
BL-D80A-21	BETLUX	获取价格	20.3mm (0.80) Dual digit Seven Segment LED display series
BL-D80A-21B	BETLUX	获取价格	LED NUMERIC DISPLAY, 2 DIGIT
BL-D80A-21D	BETLUX	获取价格	LED NUMERIC DISPLAY, 2 DIGIT
BL-D80A-21D-XX	BETLUX	获取价格	20.3mm (0.80) Dual digit Seven Segment LED display series

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