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BIR-HO033A

更新时间: 2024-10-29 22:28:31
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早安 - YSTONE 半导体红外LED光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 476K
描述
SURFACE MOUNT INFRARED EMITTING DIODES

BIR-HO033A 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.67最大正向电流:0.03 A
最大正向电压:2 V安装特点:SURFACE MOUNT
最高工作温度:80 °C最低工作温度:-25 °C
峰值波长:850 nm最长响应时间:5e-7 s
最大反向电压:5 V半导体材料:GaAlAs
子类别:Infrared LEDs表面贴装:YES
视角:70 degBase Number Matches:1

BIR-HO033A 数据手册

  
SURFACE MOUNT INFRARED EMITTING DIODES  
BIR-Hxx3A Series  
Absolute Maximum Ratings  
(Ta=25)  
UNIT  
mA  
A
SPEC.  
30  
IF  
IFp  
1.0  
VR  
V
5
-25+80  
-30+85  
Topr  
Tstg  
Ifp = 20mA  
PW = 10 s  
DC = 1%  
Electro-optical Data (At 20mA)  
Radiant Power  
Chip  
Viewing  
Angle  
2 θ 1/2  
(deg)  
Lens  
Part No.  
Appearance  
Vf (V)  
Ir  
Tr  
Tf  
λp  
λ  
Po (mw/sr)  
Material  
(A)  
(ns)  
(ns)  
(nm)  
(nm)  
Typ. Max.  
Min.  
Typ.  
BIR-HM133A  
BIR-HN033A  
BIR-HO033A  
BIR-HO133A  
GaAlAs  
GaAlAs  
GaAlAs  
GaAlAs  
940  
880  
850  
850  
50  
50  
50  
50  
1.2  
1.4  
1.4  
1.4  
1.7  
2.0  
2.0  
2.0  
50  
50  
50  
50  
1.00  
4.00  
500  
500  
500  
500  
200  
200  
200  
200  
0.71  
1.98  
1.41  
1.20  
4.00  
3.00  
Water Clear  
70˚  

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