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BGD704,112

更新时间： 2024-02-28 13:23:14

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恩智浦 - NXP		高功率电源射频微波
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10页	103K
描述
BGD704 - 750 MHz, 20 dB gain power doubler amplifier SFM 7-Pin

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BGD704,112 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	SOT-115J	针数：	7
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
其他特性：	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY	特性阻抗：	75 Ω
构造：	MODULE	增益：	20 dB
最大工作频率：	750 MHz	最小工作频率：	40 MHz
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-20 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	SOT-115J
电源：	24 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND HIGH POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	435 mA
技术：	HYBRID	Base Number Matches：	1

BGD704,112 数据手册

BGD704

NXP Semiconductors

750 MHz, 20 dB gain power doubler amplifier

Table 6.

Characteristics …continued

Bandwidth 40 MHz to 600 MHz; V_B= 24 V; T_mb= 35 °C; Z_S= Z_L= 75 Ω.

Symbol Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

CTB

X_mod

CSO

composite triple beat

85 channels flat; V_o= 44 dBmV; measured at

595.25 MHz

−65

−66

−64 dB

−58 dB

−68 dB

cross modulation

85 channels flat; V_o= 44 dBmV; measured at

55.25 MHz

composite second order

distortion

85 channels flat; V_o= 44 dBmV; measured at

596.5 MHz

[1]

[2]

d₂

V_o

second order distortion

output voltage

d_im= −60 dB

dBmV

noise figure

see Table 5

[3]

I_tot

total current consumption (DC)

425

435 mA

[1] f_p= 55.25 MHz; V_p= 44 dBmV; f_q= 541.25 MHz; V_q= 44 dBmV; measured at f_p+ f_q= 596.5 MHz.

[2] Measured according to DIN45004B; f_p= 590.25 MHz; V_p= V_o; f_q= 597.25 MHz; V_q= V_o− 6 dB; f_r= 599.25 MHz; V_r= V_o− 6 dB;

measured at f_p+ f_q− f_r= 588.25 MHz.

[3] The module normally operates at V_B= 24 V, but is able to withstand supply transients up to 30 V.

Table 7.

Characteristics

Bandwidth 40 MHz to 550 MHz; V_B= 24 V; T_mb= 35 °C; Z_S= Z_L= 75 Ω.

Symbol Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

19.5 20 20.5 dB

G_p

power gain

f = 50 MHz

f = 550 MHz

20.6

s₁₁

slope cable equivalent

f = 40 MHz to 550 MHz

flatness of frequency response f = 40 MHz to 550 MHz

±0.3 dB

input return losses

f = 40 MHz to 80 MHz

f = 80 MHz to 160 MHz

f = 160 MHz to 320 MHz

f = 320 MHz to 550 MHz

f = 40 MHz to 80 MHz

f = 80 MHz to 160 MHz

f = 160 MHz to 320 MHz

f = 320 MHz to 550 MHz

f = 50 MHz

−45

s₂₂

output return losses

s₂₁

phase response

+45 deg

CTB

composite triple beat

77 channels flat; V_o= 44 dBmV; measured at

547.25 MHz

−67

−66 dB

X_mod

CSO

cross modulation

77 channels flat; V_o= 44 dBmV; measured at

55.25 MHz

−67

−66 dB

−60 dB

−70 dB

composite second order

distortion

77 channels flat; V_o= 44 dBmV; measured at

548.5 MHz

[1]

[2]

d₂

V_o

second order distortion

output voltage

d_im= −60 dB

63.5

dBmV

noise figure

see Table 5

[3]

I_tot

total current consumption (DC)

425

435 mA

[1] f_p= 55.25 MHz; V_p= 44 dBmV; f_q= 493.25 MHz; V_q= 44 dBmV; measured at f_p+ f_q= 548.5 MHz.

BGD704

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Product data sheet

Rev. 8 — 28 September 2010

4 of 10

1 2 345 6 7...10

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