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BGD704,112

更新时间： 2024-01-30 12:19:40

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恩智浦 - NXP		高功率电源射频微波
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10页	103K
描述
BGD704 - 750 MHz, 20 dB gain power doubler amplifier SFM 7-Pin

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BGD704,112 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	SOT-115J	针数：	7
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
其他特性：	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY	特性阻抗：	75 Ω
构造：	MODULE	增益：	20 dB
最大工作频率：	750 MHz	最小工作频率：	40 MHz
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-20 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	SOT-115J
电源：	24 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND HIGH POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	435 mA
技术：	HYBRID	Base Number Matches：	1

BGD704,112 数据手册

BGD704

NXP Semiconductors

750 MHz, 20 dB gain power doubler amplifier

6. Package outline

Rectangular single-ended package; aluminium flange; 2 vertical mounting holes;

2 x 6-32 UNC and 2 extra horizontal mounting holes; 7 gold-plated in-line leads

SOT115J

10 mm

scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

max.

min.

max.

UNIT

max.

4.15

3.85

0.51

0.38

2.04

2.54

44.75 8.2 6-32

44.25 7.8 UNC

mm 20.8 9.5

0.25 27.2

13.75 2.54 5.08 12.7 8.8

2.4 38.1 25.4 10.2 4.2

0.25 0.7 0.1 3.8

REFERENCES

JEDEC

EUROPEAN

PROJECTION

OUTLINE

VERSION

ISSUE DATE

IEC

JEITA

04-02-04

10-06-18

SOT115J

Fig 1. Package outline SOT115J

BGD704

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Product data sheet

Rev. 8 — 28 September 2010

6 of 10

1...3 4 567 8 9 10

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