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BGD704,112

更新时间： 2024-02-28 06:22:31

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恩智浦 - NXP		高功率电源射频微波
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10页	103K
描述
BGD704 - 750 MHz, 20 dB gain power doubler amplifier SFM 7-Pin

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技术参数
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BGD704,112 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	SOT-115J	针数：	7
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
其他特性：	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY	特性阻抗：	75 Ω
构造：	MODULE	增益：	20 dB
最大工作频率：	750 MHz	最小工作频率：	40 MHz
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-20 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	SOT-115J
电源：	24 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND HIGH POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	435 mA
技术：	HYBRID	Base Number Matches：	1

BGD704,112 数据手册

BGD704

NXP Semiconductors

750 MHz, 20 dB gain power doubler amplifier

2. Pinning information

Table 2.

Pinning

Description

input

Simplified outline

Graphic symbol

common

+V_B

1 3 5 7 9

common

output

sym095

3. Ordering information

Table 3.

Ordering information

Type number

Package

Name

Description

Version

BGD704

rectangular single-ended package; aluminium flange; SOT115J

2 vertical mounting holes; 2 × 6-32 UNC and 2 extra

horizontal mounting holes; 7 gold-plated in-line leads

4. Limiting values

Table 4.

Limiting values

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

Symbol Parameter Conditions

Min

Max

Unit

V_i

RF input voltage

dBmV

T_stg

T_mb

storage temperature

−40

−20

+100 °C

mounting base operating temperature

5. Characteristics

Table 5.

Characteristics

Bandwidth 40 MHz to 750 MHz; V_B= 24 V; T_mb= 35 °C; Z_S= Z_L= 75 Ω.

Symbol Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

19.5 20 20.5 dB

G_p

power gain

f = 50 MHz

f = 750 MHz

s₁₁

slope cable equivalent

flatness of frequency response

input return losses

f = 40 MHz to 750 MHz

f = 40 MHz to 80 MHz

f = 80 MHz to 160 MHz

f = 160 MHz to 320 MHz

f = 320 MHz to 640 MHz

f = 640 MHz to 750 MHz

±0.2 ±0.5 dB

BGD704

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Product data sheet

Rev. 8 — 28 September 2010

2 of 10

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