生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.72 | 最高工作温度: | 100 °C |
最低工作温度: | -20 °C | 封装主体材料: | CERAMIC |
封装等效代码: | SOT-115C | 电源: | 24 V |
子类别: | RF/Microwave Amplifiers | 最大压摆率: | 435 mA |
技术: | HYBRID | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
BGD108 | NXP | CATV amplifier module |
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BGD501 | ETC |
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BGD502 | NXP | CATV power doubler amplifier modules |
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BGD502_01 | NXP | 550 MHz, 18.5 dB gain power doubler amplifier |
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BGD502_15 | JMNIC | 550 MHz, 18.5 dB gain power doubler amplifier |
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BGD502_2015 | JMNIC | 550 MHz, 18.5 dB gain power doubler amplifier |
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