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BGD704,112

更新时间： 2024-02-20 12:24:31

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恩智浦 - NXP		高功率电源射频微波
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10页	103K
描述
BGD704 - 750 MHz, 20 dB gain power doubler amplifier SFM 7-Pin

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BGD704,112 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	SOT-115J	针数：	7
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
其他特性：	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY	特性阻抗：	75 Ω
构造：	MODULE	增益：	20 dB
最大工作频率：	750 MHz	最小工作频率：	40 MHz
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-20 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	SOT-115J
电源：	24 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND HIGH POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	435 mA
技术：	HYBRID	Base Number Matches：	1

BGD704,112 数据手册

BGD704

750 MHz, 20 dB gain power doubler amplifier

Rev. 8 — 28 September 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Hybrid amplifier module in a SOT115J package operating with a voltage supply of

24 V (DC).

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features and benefits

Excellent linearity

Extremely low noise

Silicon nitride passivation

Rugged construction

Gold metallization ensures excellent reliability

1.3 Applications

CATV systems in the frequency range of 40 MHz to 750 MHz

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

f = 50 MHz

f = 750 MHz

V_B= 24 V

Min

Typ

Max Unit

G_p

I_tot

power gain

19.5 20

20.5 dB

total current consumption (DC)

425

435

12 3 4 5 6 7...10

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