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BGA715L7

更新时间： 2024-02-23 22:28:30

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英飞凌 - INFINEON		放大器全球定位系统
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8页	326K
描述
Silicon Germanium GPS Low Noise Amplifier

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BGA715L7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SOLCC6,.08,20
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.64
其他特性：	LOW NOISE	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	20 dB
最大输入功率 (CW)：	10 dBm	JESD-609代码：	e3
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	6	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	SOLCC6,.08,20	电源：	1.8 V
射频/微波设备类型：	NARROW BAND LOW POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

BGA715L7 数据手册

BGA715L7

Description

Type

Package

Marking

BGA715L7

TSLP-7-1

Pin Definition and Function

Table 1

Pin Definition and Function

Pin No.

Symbol

Function

LNA input

DC bias

RF ground

Power on control

DC supply

LNA output

DC ground

BIAS

GND

PON

VCC

VSS

Maximum Ratings

Table 2

Maximum Ratings

Parameter¹⁾

Symbol

V_CC

V_AI

V_BIAS

V_AO

V_PON

V_GND

I_CC

P_IN

P_tot

T_J

T_A

Value

Unit

dBm

°C

Voltage at pin VCC

Voltage at pin AI

-0.3 ... 3.6

-0.3 ... 0.9

-0.3 ... V_CC+ 0.3

-0.3 ... 0.3

150

Voltage at pin BIAS

Voltage at pin AO

Voltage at pin PON

Voltage at pin GND

Current into pin VCC

RF input power

Total power dissipation

Junction temperature

Ambient temperature range

Storage temperature range

-40 ... 85

-65 ... 150

2000

T_STG

²⁾Human Body Model ESD capability, all pin to all pin V_{ESD_HBM}

³⁾Machine Model ESD capability, all pin to all pin

1) All voltages refer to VSS-Node.

2) According to JEDS22A-114

V_{ESD_MM}

100

3) According to JEDS22A-115

Thermal resistance

Table 3

Thermal resistance

Parameter

Symbol

R_thJS

Value

159

Unit

K/W

Junction - soldering point¹⁾

1) For calculation of R_thJAplease refer to Application Note Thermal Resistance

Data Sheet

Rev.2.1, 2009-10-9

1 2 3 456 7 8

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