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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.66 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 特性阻抗： | 50 Ω |
| 构造： | COMPONENT | 增益： | 15.8 dB |
| 最大输入功率 (CW)： | 4 dBm | 最大工作频率： | 885 MHz |
| 最小工作频率： | 875 MHz | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -30 °C | 射频/微波设备类型： | NARROW BAND LOW POWER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BGA751L7E6327XTSA1 | INFINEON |
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Narrow Band Low Power Amplifier, 875MHz Min, 885MHz Max, 2 X 1.30 MM, 0.39 MM HEIGHT, GREE |
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| BGA751N7 | INFINEON |
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Telecom Circuit, 1-Func, Bipolar, PDSO6, 2 X 1.30 MM, 0.39 MM HEIGHT, GREEN, TSNP-7/6 |
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| BGA751N7E6327XTSA1 | INFINEON |
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Telecom Circuit, 1-Func, Bipolar, PDSO6, 2 X 1.30 MM, 0.39 MM HEIGHT, GREEN, TSNP-7/6 |
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| BGA758L7 | INFINEON |
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5-6 GHz LNA for WLAN |
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| BGA771N16 | INFINEON |
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High Linearity Dual-Band UMTS LNA (1900/1800/2100, 800/900MHz) |
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| BGA777L7 | INFINEON |
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Single-Band UMTS LNA (2300 - 2700 MHz) |
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| BGA7H1BN6 | INFINEON |
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BGA7H1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器，覆盖 1805 MHz 至 269 |
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| BGA7H1N6 | INFINEON |
获取价格 |
Infineonâs New LTE Low Noise Amplifiers Alm |
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| BGA7H1N6E6327 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
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| BGA7H1N6E6327_15 | INFINEON |
获取价格 |
Material Content Data Sheet |
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