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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.05 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 15 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码： | TO-72 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1300 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BFT93 | NXP |
功能相似  |
PNP 5 GHz wideband transistor |
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| BFS20 | DIOTEC |
功能相似 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BFS17 | VISHAY |
功能相似 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFY90CSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 |
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| BFY90DCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed |
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| BFY90LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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| BFY94 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,PNP,40V V(BR)CEO,TO-39, BIP General Purpose Small Signal |
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| BFYP99 | ETC |
获取价格 |
TRANZYSTOR |
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| BG | TXC |
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我们的可编程石英振盪器产品系列，满足-40°C ~105°C宽温域应用、多样性频点、及快速 |
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| BG1000 | BOT |
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BARGRAPH 10 ELEMENT 5x2 mm |
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| BG1000G | BOT |
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BARGRAPH 10 ELEMENT 5x2 mm |
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| BG1000H | BOT |
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BARGRAPH 10 ELEMENT 5x2 mm |
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| BG1000RG | BOT |
获取价格 |
BARGRAPH 10 ELEMENT 5x2 mm |
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