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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-77 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W6 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.23 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 | JEDEC-95代码： | MO-002AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFY81DCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar NPN Devices. |
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| BFY82 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-77 |
|
| BFY82DCSM | SEME-LAB |
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Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed |
|
| BFY83 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 60V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-77 |
|
| BFY84 | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
|
| BFY84DCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed |
|
| BFY88 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,25MA I(C),TO-72, BIP General Purpose Small Sign |
|
| BFY90 | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
|
| BFY90 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
|
| BFY90 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
WIDE BAND VHF/UHF AMPLIFIER |
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