5秒后页面跳转
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.8 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFW29 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,400MA I(C),TO-5, BIP General Purpose Small Sign |
|
| BFW30 | INFINEON |
获取价格 |
NPN SILICON RF BROADBAND TRANSISTOR |
|
| BFW-30 | COOPER |
获取价格 |
FUSE WIRE |
|
| BFW300MJE08 | VISHAY |
获取价格 |
RESISTOR, CARBON FILM, 10 W, 5 %, 300000000 ohm, CHASSIS MOUNT, LEAD FREE |
|
| BFW30M0JF08 | VISHAY |
获取价格 |
RES,RADIAL,CARBON FILM,30M OHMS,40KWV,5% +/-TOL |
|
| BFW31 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,700MA I(C),TO-18, BIP General Purpose Small Sig |
|
| BFW32 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,700MA I(C),TO-18, BIP General Purpose Small Sig |
|
| BFW33 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,80V V(BR)CEO,TO-5, BIP General Purpose Small Signal |
|
| BFW33M0JE08 | VISHAY |
获取价格 |
RESISTOR, CARBON FILM, 10 W, 5 %, 33000000 ohm, CHASSIS MOUNT, LEAD FREE |
|
| BFW34 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-39, BIP General Purpose Small Sig |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
