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BFW31

更新时间: 2024-02-15 15:39:12
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
12页 1225K
描述
TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,700MA I(C),TO-18, BIP General Purpose Small Signal

BFW31 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):0.7 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):70
JEDEC-95代码:TO-18JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:140 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz

BFW31 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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RESISTOR, CARBON FILM, 10 W, 5 %, 33000000 ohm, CHASSIS MOUNT, LEAD FREE
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