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BFR106,215

更新时间: 2024-11-25 19:53:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 84K
描述
BFR106 - NPN 5 GHz wideband transistor TO-236 3-Pin

BFR106,215 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-236包装说明:PLASTIC, SST, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:7.88其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):25
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:0.5 W最大功率耗散 (Abs):0.35 W
认证状态:Not Qualified参考标准:CECC
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):5000 MHzBase Number Matches:1

BFR106,215 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFR106  
NPN 5 GHz wideband transistor  
Product specification  
September 1995  

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