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BFN18 PDF预览

BFN18

更新时间： 2024-09-28 22:27:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体开关连接器连接器支架军用连接器配件小信号双极晶体管电视高压
页数 文件大小 规格书
4页 142K
描述
NPN Silicon High-Voltage Transistors (Suitable for video output stages in TV sets and switching power supplies High breakdown voltage)

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BFN18 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life零件包装代码：SOT-89
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.34
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-243JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：70 MHzBase Number Matches：1

BFN18 数据手册

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NPN Silicon High-Voltage Transistors  
BFN 16  
BFN 18  
● Suitable for video output stages in TV sets  
and switching power supplies  
● High breakdown voltage  
● Low collector-emitter saturation voltage  
● Complementary types: BFN 17, BFN 19 (PNP)  
Package1)  
Type  
Marking  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
1
2
3
BFN 16  
BFN 18  
DD  
DE  
Q62702-F885  
Q62702-F1056  
B
C
E
SOT-89  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
BFN 16  
250  
BFN 18  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
CE0  
CB0  
EB0  
300  
V
V
250  
300  
V
5
I
I
I
I
C
200  
500  
100  
200  
1
mA  
Peak collector current  
Base current  
CM  
B
Peak base current  
BM  
Total power dissipation, T  
S
=130 ˚C  
Ptot  
W
Junction temperature  
Tj  
150  
˚C  
Storage temperature range  
Tstg  
– 65 … + 150  
Thermal Resistance  
Junction - ambient2)  
R
th JA  
th JS  
≤ 75  
≤ 20  
K/W  
R
Junction - soldering point  
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm2 Cu.  
2)  
5.91  
Semiconductor Group  
1
1234

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