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BFG540T/R

更新时间: 2024-01-13 15:14:49
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 505K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 120MA I(C) | SOT-143

BFG540T/R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:PLASTIC PACKAGE-4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76其他特性:HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.12 A
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:0.5 W
最大功率耗散 (Abs):0.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):9000 MHzBase Number Matches:1

BFG540T/R 数据手册

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