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BFG541

更新时间: 2024-09-23 22:39:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 145K
描述
NPN 9 GHz wideband transistor

BFG541 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-73
包装说明:PLASTIC, SC-73, 4 PIN针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:8.49Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY, LOW NOISE外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.12 A配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:0.65 W
最大功率耗散 (Abs):0.65 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):9000 MHzBase Number Matches:1

BFG541 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFG541  
NPN 9 GHz wideband transistor  
September 1995  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC14  

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