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BFG520W

更新时间： 2024-01-18 15:30:50

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锦美电子 - JMNIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	130K
描述
NPN 9 GHz wideband transistors

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BFG520W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
其他特性：	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.07 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	9000 MHz	Base Number Matches：	1

BFG520W 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

NPN 9 GHz wideband transistors

BFG520W; BFG520W/X

1.0

handbook, full pagewidth

0.8

0.6

0.4

0.2

135

0.5

0.2

3 GHz

0.2

0.5

180

40 MHz

0.2

0.5

135

MLB814

1.0

V_CE= 6 V; I_C= 20 mA; Z_o= 50 Ω.

Fig.18 Common emitter input reflection coefficient (S₁₁); typical values.

handbook, full pagewidth

135

40 MHz

3 GHz

180

135

MLB815

V_CE= 6 V; I_C= 20 mA.

Fig.19 Common emitter forward transmission coefficient (S₂₁); typical values.

1998 Oct 02

1...7 8 91011 12 13...16

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与BFG520W相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BFG520W/X	NXP	NPN 9 GHz wideband transistors	获取价格
BFG520W/X,115	NXP	BFG520W - NPN 9 GHz wideband transistor SOP 4-Pin	获取价格
BFG520W/XR	NXP	TRANSISTOR X BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal	获取价格
BFG520W/XT/R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| SOT-343	获取价格
BFG520W_15	JMNIC	NPN 9 GHz wideband transistors	获取价格
BFG520W_2015	JMNIC	NPN 9 GHz wideband transistors	获取价格