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BFG520W

更新时间： 2024-09-25 02:55:35

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锦美电子 - JMNIC		开关光电二极管晶体管
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16页	130K
描述
NPN 9 GHz wideband transistors

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BFG520W 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

NPN 9 GHz wideband transistors

BFG520W; BFG520W/X

SPICE parameters for the BFG520W die

SEQUENCE No. PARAMETER VALUE

UNIT

SEQUENCE No. PARAMETER VALUE

UNIT

36 ⁽¹⁾

37 ⁽¹⁾

VJS

MJS

750.0

0.000

0.780

1.016

220.1

1.000

48.06

510

−

VAF

IKF

ISE

Note

−

1. These parameters have not been extracted, the

default values are shown.

283

2.035

100.7

0.988

1.692

2.352

24.48

1.022

10.00

1.000

10.00

775.3

2.210

0.000

1.110

3.000

1.245

600.0

0.258

8.616

6.788

1.414

110.3

45.01

447.6

189.2

0.070

0.130

543.7

0.000

−

handbook, halfpage

19 ⁽¹⁾

20 ⁽¹⁾

21 ⁽¹⁾

35 ⁽¹⁾

VAR

IKR

ISC

−

Ω

IRB

RBM

µA

Ω

MBC964

mΩ

Ω

XTB

−

XTI

CJE

VJE

MJE

QL_B= 50; QL_E= 50; QL_B,E(f) = QL_B,E√(f/f_c)

f_c= scaling frequency = 1 GHz.

−

Fig.22 Package equivalent circuit SOT343N.

−

List of components (see Fig.22)

XTF

VTF

ITF

DESIGNATION

VALUE

UNIT

C_be

C_cb

C_ce

deg

−

PTF

CJC

VJC

MJC

XCJC

115

0.34

0.10

0.25

0.40

−

L_B

L_E

CJS

1998 Oct 02

1...9 10 111213 14 15 16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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