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BFG520W PDF预览

BFG520W

更新时间： 2024-02-28 15:21:14
品牌 Logo 应用领域
锦美电子 - JMNIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 130K
描述
NPN 9 GHz wideband transistors

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BFG520W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
其他特性：LOW NOISE, HIGH RELIABILITY外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.07 A配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：9000 MHzBase Number Matches：1

BFG520W 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
NPN 9 GHz wideband transistors  
BFG520W; BFG520W/X  
SPICE parameters for the BFG520W die  
SEQUENCE No. PARAMETER VALUE  
UNIT  
mV  
SEQUENCE No. PARAMETER VALUE  
UNIT  
36 (1)  
37 (1)  
38  
VJS  
MJS  
FC  
750.0  
0.000  
0.780  
1
IS  
1.016  
220.1  
1.000  
48.06  
510  
fA  
−
−
−
2
BF  
3
NF  
−
4
VAF  
IKF  
ISE  
NE  
V
Note  
5
mA  
fA  
−
1. These parameters have not been extracted, the  
default values are shown.  
6
283  
7
2.035  
100.7  
0.988  
1.692  
2.352  
24.48  
1.022  
10.00  
1.000  
10.00  
775.3  
2.210  
0.000  
1.110  
3.000  
1.245  
600.0  
0.258  
8.616  
6.788  
1.414  
110.3  
45.01  
447.6  
189.2  
0.070  
0.130  
543.7  
0.000  
8
BR  
−
9
NR  
−
C
handbook, halfpage  
cb  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19 (1)  
20 (1)  
21 (1)  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
35 (1)  
VAR  
IKR  
ISC  
NC  
V
mA  
aA  
−
L
B
L1  
L2  
B
B'  
C'  
C
E'  
RB  
Ω
C
C
be  
ce  
IRB  
RBM  
RE  
µA  
Ω
L
E
MBC964  
mΩ  
Ω
L3  
RC  
XTB  
EG  
−
E
eV  
−
XTI  
CJE  
VJE  
MJE  
TF  
QLB = 50; QLE = 50; QLB,E(f) = QLB,E√(f/fc)  
fc = scaling frequency = 1 GHz.  
pF  
mV  
−
Fig.22 Package equivalent circuit SOT343N.  
ps  
−
List of components (see Fig.22)  
XTF  
VTF  
ITF  
DESIGNATION  
VALUE  
UNIT  
V
Cbe  
Ccb  
Cce  
L1  
70  
fF  
mA  
deg  
fF  
mV  
−
50  
fF  
PTF  
CJC  
VJC  
MJC  
XCJC  
TR  
115  
fF  
0.34  
0.10  
0.25  
0.40  
0.40  
nH  
nH  
nH  
nH  
nH  
L2  
L3  
−
LB  
ps  
F
LE  
CJS  
1998 Oct 02  
12  
1...910111213141516

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与BFG520W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BFG520W/X NXP

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 		NPN 9 GHz wideband transistors
BFG520W/X,115 NXP

获取价格

 		BFG520W - NPN 9 GHz wideband transistor SOP 4-Pin
BFG520W/XR NXP

获取价格

 		TRANSISTOR X BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
BFG520W/XT/R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SOT-343
BFG520W_15 JMNIC

获取价格

 		NPN 9 GHz wideband transistors
BFG520W_2015 JMNIC

获取价格

 		NPN 9 GHz wideband transistors
BFG520WT/R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SOT-343
BFG520W-X NXP

获取价格

 		RF Manual 16th edition
BFG520X ISC

获取价格

 		isc Silicon NPN RF Transistor
BFG520-X NXP

获取价格

 		RF Manual 16th edition

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