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BF822

更新时间： 2024-01-07 14:53:05

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	52K
描述
Small Signal Transistors (NPN)

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BF822 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.33
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	基于收集器的最大容量：	1.6 pF
集电极-发射极最大电压：	250 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	VCEsat-Max：	0.6 V

BF822 数据手册

BF820, BF822

Small Signal Transistors (NPN)

FEATURES

SOT-23

♦

.122 (3.1)

.118 (3.0)

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors

especially suited for application in class-B

video output stages of TV receivers and

monitors.

.016 (0.4)

Top View

As complementary types, the PNP tran-

sistors BF821 and BF823 are recom-

mended.

.037(0.95) .037(0.95)

.102 (2.6)

.094 (2.4)

MECHANICAL DATA

.016 (0.4) .016 (0.4)

Case: SOT-23 Plastic Package

Weight: approx. 0.008 g

Marking code

Dimensions in inches and (millimeters)

BF820 = 1V

BF822 = 1X

Pin configuration

1 = Base, 2 = Emitter, 3 = Collector.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at

ambient temperature unless otherwise specified

25 °C

Symbol

Value

Unit

Collector-Base Voltage

BF820

BF822

CBO

300

250

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

BF822

BF820

250

CEO

CER

EBO

300

°C

Peak Collector Current

100

Power Dissipation at T = 50 °C

tot

300¹⁾

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

¹⁾Device on fiberglass substrate, see layout

–65 to +150

4/98

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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