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BF822S

更新时间: 2024-02-08 23:41:11
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 309K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-23

BF822S 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.33
最大集电极电流 (IC):0.05 A基于收集器的最大容量:1.6 pF
集电极-发射极最大电压:250 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):60 MHzVCEsat-Max:0.6 V

BF822S 数据手册

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