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BF820W

更新时间: 2024-09-30 22:27:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管高压
页数 文件大小 规格书
8页 56K
描述
NPN high-voltage transistors

BF820W 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-70
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.12
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.05 A
基于收集器的最大容量:1.6 pF集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):60 MHzVCEsat-Max:0.6 V
Base Number Matches:1

BF820W 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BF820W; BF822W  
NPN high-voltage transistors  
1997 Sep 03  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Jun 19  
File under Discrete Semiconductors, SC04  

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