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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.13 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1.6 pF | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | VCEsat-Max： | 0.6 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BF820W-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 50 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal |
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| BF821 | NXP |
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PNP high-voltage transistors |
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| BF821 | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP high voltage transistorsProduction |
|
| BF821 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Transistors (PNP) |
|
| BF821 | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
|
| BF821 | TRSYS |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS |
|
| BF821 | RECTRON |
获取价格 |
SOT-23 - Power Transistor and Darlingtons |
|
| BF821 | KEXIN |
获取价格 |
PNP High-Voltage Transistors |
|
| BF821 | TYSEMI |
获取价格 |
Low current (max. 50 mA) High voltage (max. 300 V).Collector current IC -50 mA |
|
| BF821 | CJ |
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SOT-23 |
|
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