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BF511TRL13

更新时间: 2024-10-01 14:41:07
品牌 Logo 应用领域
国巨 - YAGEO 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 144K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET

BF511TRL13 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.75Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:20 V
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):0.4 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BF511TRL13 数据手册

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