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BF512-T

更新时间: 2024-10-01 20:57:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 34K
描述
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal

BF512-T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.76
其他特性:LOW NOISE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (ID):0.03 A
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):0.4 pF
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BF512-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BF510 to 513  
N-channel silicon field-effect  
transistors  
December 1997  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC07  

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