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BF422G

更新时间： 2024-11-06 08:52:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 95K
描述
High Voltage Transistors

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BF422G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.12最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：250 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.8 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：60 MHzBase Number Matches：1

BF422G 数据手册

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BF422  
High Voltage Transistors  
NPN Silicon  
Features  
• This is a Pb−Free Device*  
http://onsemi.com  
COLLECTOR  
2
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
250  
250  
5.0  
Unit  
Vdc  
3
BASE  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
Vdc  
1
EMITTER  
V
EBO  
Vdc  
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak  
Total Device Dissipation (Note 1)  
I
50  
mAdc  
mA  
C
I
100  
CM  
P
D
@ T = 25°C  
Derate above 25°C  
830  
6.6  
mW  
mW/°C  
A
TO−92  
(TO−226AA)  
CASE 29−11  
STYLE 14  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
1
2
3
BENT LEAD  
TAPE & REEL  
AMMO PACK  
1
2
3
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
STRAIGHT LEAD  
BULK PACK  
Symbol  
Max  
150  
68  
Unit  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Lead  
R
q
JL  
°C/W  
MARKING DIAGRAM  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
BF422  
AYWW G  
G
2
1. Mounted on a FR4 board with 200 mm of 1 oz copper and lead length of  
5 mm.  
BF422 = Device Code  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
BF422G  
Package  
Shipping  
TO−92  
5000 Units/Box  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
September, 2010 − Rev. 1  
BF422/D  
 
1234

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BF422G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BF422ZL1G ONSEMI

完全替代

 高电压 NPN 双极晶体管
BF422RL1G ONSEMI

完全替代

 50mA, 250V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PI
BF422 ONSEMI

完全替代

 High Voltage Transistors(NPN Silicon)

与BF422G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BF422G-AE3-R UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
BF422G-T92-B UTC

获取价格

 		HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
BF422G-T92-K UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BF422L NXP

获取价格

 		NPN high-voltage transistor
BF422L-AE3-R UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
BF422L-T92-B UTC

获取价格

 		HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
BF422L-T92-K UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BF422RL MOTOROLA

获取价格

 		500mA, 250V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BF422RL ONSEMI

获取价格

 		500mA, 250V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226AA, 3 PIN
BF422RL1 MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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