BF393G

更新时间： 2024-11-24 13:05:55

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号双极晶体管高压
页数	文件大小	规格书
4页	92K
描述
Transistor Silicon Plastic NPN, TO-92 (TO-226) 5.33mm Body Height, 5000-BLKBX

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BF393G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.32
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

BF393G 数据手册

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by BF393/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

NPN Silicon

COLLECTOR

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

CASE 29–04, STYLE 1

TO–92 (TO–226AA)

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol

Value

300

6.0

Unit

CEO

CBO

EBO

Vdc

Collector Current — Continuous

500

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.5

Watts

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–55 to +150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to

Ambient

200

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Case

83.3

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(1)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = 1.0 mAdc, I =0)

Vdc

(BR)CEO

300

6.0

—

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 100 Adc, I = 0)

(BR)CBO

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 100 Adc, I = 0)

Vdc

(BR)EBO

—

Collector Cutoff Current

(V = 200 Vdc, I = 0)

µAdc

CBO

0.1

Emitter Cutoff Current

(V = 6.0 Vdc, I = 0)

EBO

—

1. Pulse Test: Pulse Width

300 s; Duty Cycle

2.0%.

(Replaces BF392/D)

M_Mot_oo_tor_ro_ol_la_a,S_Inm_c.a₁₉ll₉–₇Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

12 3 4

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BF393G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BF393	ONSEMI	类似代替	High Voltage Transistor(NPN Silicon)
BF393ZL1G	ONSEMI	功能相似	晶体管硅塑料 NPN

与BF393G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BF393K	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
BF393L	ZETEX	获取价格	500mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
BF393M1	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
BF393M1TA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BF393M1TC	ZETEX	获取价格	500mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 STYLE, E-LINE PACKAGE-3
BF393P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92
BF393Q	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
BF393RL	ONSEMI	获取价格	500mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN
BF393RL	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BF393RL1	MOTOROLA	获取价格	500mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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