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BF2030WE6327

更新时间： 2024-10-01 18:10:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 214K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-343, 4 PIN

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BF2030WE6327 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-82包装说明：SOT-343, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
其他特性：LOW NOISE外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：10 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.04 A最大漏极电流 (ID)：0.04 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DUAL GATE, DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W最小功率增益 (Gp)：20 dB
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BF2030WE6327 数据手册

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BF2030...  
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode  
• For low noise, high gain controlled  
input stages up to 1GHz  
• Operating voltage 5V  
Drain  
HF Output  
+ DC  
G2  
G1  
AGC  
HF  
Input  
RG1  
GND  
VGG  
EHA07461  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!  
Class 2 (2000V - 4000V) pin to pin Human Body Model  
Type  
Package  
Pin Configuration  
Marking  
NDs  
BF2030  
BF2030R  
BF2030W  
SOT143  
1= S  
2=D  
2=S  
2=S  
3=G2 4=G1  
3=G1 4=G2  
3=G1 4=G2  
-
-
-
-
SOT143R 1= D  
SOT343 1= D  
-
-
NDs  
NDs  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
8
Unit  
V
Drain-source voltage  
V
DS  
40  
10  
6
mA  
Continuous drain current  
Gate 1/ gate 2-source current  
Gate 1 (external biasing)  
Total power dissipation  
I
D
±I  
G1/2SM  
V
+V  
G1SE  
mW  
P
tot  
T ≤ 76 °C, BF2030, BF2030R  
200  
200  
S
T ≤ 94 °C, BF2030W  
S
°C  
Storage temperature  
Channel temperature  
T
-55 ... 150  
150  
stg  
T
ch  
Sep-29-2004  
1
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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