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BES1002

更新时间: 2024-11-24 18:04:11
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 254K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, GLASS PACKAGE-2

BES1002 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.41Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:1 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大反向恢复时间:0.025 µs
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BES1002 数据手册

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