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BDX33BBU

更新时间： 2024-11-30 13:05:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
6页 138K
描述
10A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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BDX33BBU 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：750
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

BDX33BBU 数据手册

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by BDX33B/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for general purpose and low speed switching applications.  
•
•
High DC Current Gain — h = 2500 (typ.) at I = 4.0  
FE C  
Collector–Emitter Sustaining Voltage at 100 mAdc  
V
V
= 80 Vdc (min.) — BDX33B, 34B  
= 100 Vdc (min.) — BDX33C, 34C  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
•
Low Collector–Emitter Saturation Voltage  
= 2.5 Vdc (max.) at I = 3.0 Adc — BDX33B, 33C/34B, 34C  
Monolithic Construction with Build–In Base–Emitter Shunt resistors  
TO–220AB Compact Package  
*Motorola Preferred Device  
V
CE(sat)  
C
•
•
DARLINGTON  
10 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
MAXIMUM RATINGS  
POWER TRANSISTORS  
80–100 VOLTS  
70 WATTS  
BDX33B  
BDX34B  
BDX33C  
BDX34C  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
V
EB  
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
10  
15  
Base Current  
I
B
0.25  
Adc  
Total Device Dissipation  
P
D
@ T = 25 C  
70  
0.56  
Watts  
W/ C  
C
Derate above 25 C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
1.78  
C/W  
θJC  
80  
60  
40  
20  
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
C)  
140  
160  
T
, CASE TEMPERATURE (  
°
C
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
123456

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与BDX33BBU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDX33BBV ONSEMI

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 		TRANSISTOR 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
BDX33BC MOTOROLA

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 		10A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BDX33BD1 MOTOROLA

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 		10A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BDX33B-DR6259 RENESAS

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 		10A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BDX33B-DR6260 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
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 		10A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BDX33BDW ONSEMI

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 		10A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDX33BG ONSEMI

获取价格

 		Darlington Complementary Silicon Power Transistors

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