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BDW46

更新时间： 2024-11-13 22:27:27
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 179K
描述
Darlington Complementary Silicon Power Transistors

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BDW46 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.21
其他特性：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：15 A基于收集器的最大容量：300 pF
集电极-发射极最大电压：80 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：250JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：85 W
最大功率耗散 (Abs)：85 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
VCEsat-Max：3 VBase Number Matches：1

BDW46 数据手册

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by BDW42/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for general purpose and low speed switching applications.  
•
•
High DC Current Gain – h = 2500 (typ.) @ I = 5.0 Adc.  
FE C  
Collector Emitter Sustaining Voltage @ 30 mAdc:  
*Motorola Preferred Device  
V
V
= 80 Vdc (min.) — BDW46  
= 100 Vdc (min.) — BDW42/BDW47  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
DARLINGTON  
15 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
80–100 VOLTS  
85 WATTS  
•
Low Collector Emitter Saturation Voltage  
V
V
= 2.0 Vdc (max.) @ I = 5.0 Adc  
CE(sat)  
CE(sat)  
C
= 3.0 Vdc (max.) @ I = 10.0 Adc  
C
•
•
Monolithic Construction with Built–In Base Emitter Shunt resistors  
TO–220AB Compact Package  
MAXIMUM RATINGS  
BDW42  
BDW47  
Rating  
Symbol  
BDW46  
80  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
Base Current  
V
CEO  
100  
100  
V
CB  
80  
V
EB  
5.0  
15  
I
C
I
B
0.5  
Total Device Dissipation  
P
D
@ T = 25 C  
85  
0.68  
Watts  
W/ C  
C
Derate above 25 C  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
1.47  
C/W  
θJC  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
T
, CASE TEMPERATURE (°C)  
C
Figure 1. Power Temperature Derating Curve  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995  
123456

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与BDW46相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDW4616 MOTOROLA

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 		15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BDW4616A MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BDW46A MOTOROLA

获取价格

 		15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BDW46AF ONSEMI

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 		15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDW46AF MOTOROLA

获取价格

 		15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BDW46AJ MOTOROLA

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 		15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BDW46AJ ONSEMI

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 		15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDW46AK ONSEMI

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 		15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDW46AN ONSEMI

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 		TRANSISTOR 15 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
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 		15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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