5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BDW46
BDW46 PDF预览

BDW46

更新时间： 2024-09-28 22:27:27
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 179K
描述
Darlington Complementary Silicon Power Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

BDW46 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.21
其他特性：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：15 A基于收集器的最大容量：300 pF
集电极-发射极最大电压：80 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：250JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：85 W
最大功率耗散 (Abs)：85 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
VCEsat-Max：3 VBase Number Matches：1

BDW46 数据手册

 浏览型号BDW46的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BDW46的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BDW46的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BDW46的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BDW46的Datasheet PDF文件第6页 
Order this document  
by BDW42/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for general purpose and low speed switching applications.  
•
•
High DC Current Gain – h = 2500 (typ.) @ I = 5.0 Adc.  
FE C  
Collector Emitter Sustaining Voltage @ 30 mAdc:  
*Motorola Preferred Device  
V
V
= 80 Vdc (min.) — BDW46  
= 100 Vdc (min.) — BDW42/BDW47  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
DARLINGTON  
15 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
80–100 VOLTS  
85 WATTS  
•
Low Collector Emitter Saturation Voltage  
V
V
= 2.0 Vdc (max.) @ I = 5.0 Adc  
CE(sat)  
CE(sat)  
C
= 3.0 Vdc (max.) @ I = 10.0 Adc  
C
•
•
Monolithic Construction with Built–In Base Emitter Shunt resistors  
TO–220AB Compact Package  
MAXIMUM RATINGS  
BDW42  
BDW47  
Rating  
Symbol  
BDW46  
80  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
Base Current  
V
CEO  
100  
100  
V
CB  
80  
V
EB  
5.0  
15  
I
C
I
B
0.5  
Total Device Dissipation  
P
D
@ T = 25 C  
85  
0.68  
Watts  
W/ C  
C
Derate above 25 C  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
1.47  
C/W  
θJC  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
T
, CASE TEMPERATURE (°C)  
C
Figure 1. Power Temperature Derating Curve  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995  
123456

中文翻译

下载PDF

与BDW46相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDW4616 MOTOROLA

获取价格

 		15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BDW4616A MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BDW46A MOTOROLA

获取价格

 		15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BDW46AF ONSEMI

获取价格

 		15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDW46AF MOTOROLA

获取价格

 		15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BDW46AJ MOTOROLA

获取价格

 		15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BDW46AJ ONSEMI

获取价格

 		15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDW46AK ONSEMI

获取价格

 		15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDW46AN ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR 15 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
BDW46AS ONSEMI

获取价格

 		15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

与BDW46相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证