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BDW24B

更新时间： 2024-11-16 06:41:59

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描述
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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BDW24B 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

BDW24B 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

BDW24/A/B/C

DESCRIPTION

·Collector Current -I_C= -6A

·High DC Current Gain-h_FE= 750(Min)@ I_C= -2A

·Complement to Type BDW23/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for hammer drivers, audio amplifiers applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

-45

UNIT

BDW24

BDW24A

BDW24B

BDW24C

BDW24

-60

Collector-Emitter

Voltage

V_CER

-80

-100

-45

BDW24A

BDW24B

BDW24C

-60

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

-80

-100

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-6

-8

Base Current-Continuous

-0.2

Collector Power Dissipation

P_C

T_J

℃

@ T_C=25℃

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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