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BDS955-T

更新时间: 2024-11-18 21:12:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 131K
描述
TRANSISTOR 3000 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

BDS955-T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.8外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:120 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):3 MHz
Base Number Matches:1

BDS955-T 数据手册

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