Datasheet > BD840YS_L2_00001

BD840YS_L2_00001

更新时间： 2024-01-18 12:58:05

品牌	Logo	应用领域
强茂 - PANJIT		功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
5页	259K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BD840YS_L2_00001 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.7 V	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	最大非重复峰值正向电流：	85 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大重复峰值反向电压：	40 V
最大反向电流：	50 µA	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

BD840YS_L2_00001 数据手册

PBD840YS~BD8200YS

RATING AND CHARACTERISTIC CURVES

10.0

120

100

= 40V

= 45-200V

8.0

6.0

4.0

2.0

100 120 140 160 180

100

CASE TEMPERATURE, ^O

NO. OF CYCLE AT 60Hz

Fig.2- MAXIMUM NON - REPETITIVE SURGE CURRENT

Fig.1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE

40V~45V

=100^OC

1.0

50V~60V

TJ=

75^OC

80V~100V

0.1

.01

1.0

150V~200V

TJ=

25^OC

1.0

1.1

1.2

.001

20 40 60 80 100 120 140

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS

PERCENT OF INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE,(%)

Fig.4- TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD

CHARACTERISTICS

Fig.3- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

November 25,2014-REV.02

Page 2

123 4 5

下载PDF

与BD840YS_L2_00001相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD840YS_S2_00001	PANJIT	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS	获取价格
BD840YT	PANJIT	THROUGH HOLE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS	获取价格
BD841	CDIL	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-202, Plasti	获取价格
BD842	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-202AA	获取价格
BD843	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-202AA	获取价格
BD844	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-202AA	获取价格