BD545B

更新时间： 2024-01-13 22:54:20

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伯恩斯 - BOURNS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	104K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

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BD545B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-251AB
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.39
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.7 V	JEDEC-95代码：	TO-251AB
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	45 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BD545, BD545A, BD545B, BD545C

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

MAXIMUM SAFE OPERATING REGIONS

MAXIMUM FORWARD-BIAS

SAFE OPERATING AREA

SAS633AE

100

1·0

0·1

BD545

BD545A

BD545B

BD545C

0·01

1·0

100

1000

V_CE- Collector-Emitter Voltage - V

Figure 4.

THERMAL INFORMATION

MAXIMUM POWER DISSIPATION

CASE TEMPERATURE

TIS633AC

100

125

150

T_C- Case Temperature - °C

Figure 5.

JUNE 1973 - REVISED SEPTEMBER 2002

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD545B-S	BOURNS	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,	获取价格
BD545C	ISC	Silicon NPN Power Transistor	获取价格
BD545C	POINN	NPN SILICON POWER TRANSISTORS	获取价格
BD545C	BOURNS	NPN SILICON POWER TRANSISTORS	获取价格
BD545C-S	BOURNS	Designed for Complementary Use with the BD546 Series	获取价格
BD545D	NJSEMI	Trans GP BJT NPN 100V 15A 3-Pin(3+Tab) SOT-93	获取价格