BD545B

更新时间： 2024-02-11 03:19:07

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伯恩斯 - BOURNS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	104K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

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BD545B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-251AB
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.39
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.7 V	JEDEC-95代码：	TO-251AB
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	45 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BD545B 数据手册

BD545, BD545A, BD545B, BD545C

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

TYPICAL CHARACTERISTICS

TYPICAL DC CURRENT GAIN

COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE

COLLECTOR CURRENT

BASE CURRENT

TCS633AJ

TCS633AB

1000

100

V_CE= 4 V

I_C= 1 A

I_C= 3 A

I_C= 6 A

I_C= 10 A

T_C= 25°C

t_p= 300 µs, duty cycle < 2%

1·0

0·1

1·0

0·1

0·01

1·0

0·01

0·1

1·0

I_C- Collector Current - A

I_B- Base Current - A

Figure 1.

Figure 2.

BASE-EMITTER VOLTAGE

COLLECTOR CURRENT

TCS633AC

1·8

1·6

1·4

1·2

1·0

0·8

0·6

V_CE= 4 V

T_C= 25°C

0·1

I_C- Collector Current - A

Figure 3.

JUNE 1973 - REVISED SEPTEMBER 2002

Specifications are subject to change without notice.

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与BD545B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD545B-S	BOURNS	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,	获取价格
BD545C	ISC	Silicon NPN Power Transistor	获取价格
BD545C	POINN	NPN SILICON POWER TRANSISTORS	获取价格
BD545C	BOURNS	NPN SILICON POWER TRANSISTORS	获取价格
BD545C-S	BOURNS	Designed for Complementary Use with the BD546 Series	获取价格
BD545D	NJSEMI	Trans GP BJT NPN 100V 15A 3-Pin(3+Tab) SOT-93	获取价格