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BD543C

更新时间: 2024-02-14 15:57:34
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页数 文件大小 规格书
3页 99K
描述
Silicon NPN Power Transistors

BD543C 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:PLASTIC, TO-220, FM-3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.71
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):8 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):15JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):70 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BD543C 数据手册

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SavantIC Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
BD543/A/B/C  
PACKAGE OUTLINE  
Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm)  
3

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