BD539D

更新时间： 2024-11-02 06:41:55

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描述
Silicon NPN Power Transistor

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BD539D 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

BD539D 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BD539D

DESCRIPTION

·DC Current Gain -

: h_FE= 40(Min.)@ I_C= 0.5A

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 120V(Min)

·Complement to Type BD540D

APPLICATIONS

·Designed for use in medium power linear and switching

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

120

Collector Current-Continuous

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

℃

Storage Temperature Range

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

2.78

62.5

UNIT

℃/W

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

R_{th j-c}

R_{th j-a}

isc Website：www.iscsemi.cn

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