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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.78 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 12 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD539D-S | BOURNS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD539-S | BOURNS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| BD53E23 | ROHM |
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Free Delay Time Setting CMOS Voltage Detector IC Series |
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| BD53E23G | ROHM |
获取价格 |
Free Delay Time Setting CMOS Voltage Detector IC Series |
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| BD53E23G-M | ROHM |
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罗姆的延迟时间自由设置型CMOS复位IC系列，是内置了采用CMOS工艺的高精度、低消耗电流 |
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| BD53E23G-MTR | ROHM |
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Free Delay Time Setting CMOS Voltage Detector IC Series |
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| BD53E23G-TR | ROHM |
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Free Delay Time Setting CMOS Voltage Detector IC Series |
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| BD53E24 | ROHM |
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Free Delay Time Setting CMOS Voltage Detector IC Series |
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| BD53E24G | ROHM |
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Free Delay Time Setting CMOS Voltage Detector IC Series |
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| BD53E24G-M | ROHM |
获取价格 |
罗姆的延迟时间自由设置型CMOS复位IC系列，是内置了采用CMOS工艺的高精度、低消耗电流 |
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